射频消融术后迟发房室传导阻滞伴阿-斯综合征一例

作者：xls_health
发表于: 08/10 11:32
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(齐康网)

　患者男性，24岁，因反复室上性心动过速入院，心内电生理检查诊断为希氏束旁隐匿性旁路。在距希氏束电极约2～3mm处可记录到VA融合、其前无H波的靶点电图，输出功率25W，放电15次，累计放电420s，其中巩固放电260s。心动过速终止后心室起搏示室房分离，但出现一度房室传导阻滞(Ⅰ°AVB)，P-R 0.26s，心房连续刺激频率为160次/分，房室呈1∶1传导。给予地塞米松10mg静脉注射。术后第3天凌晨突发神志不清、抽搐，心电监护示为Ⅲ°AVB，心室率28次/分。紧急行临时心脏起搏，给予大剂量地塞米松(40～50mg/d)，氨茶碱、654-2治疗。第9天逐渐恢复1∶1房室传导，P-R间期0.20s，动态心电图未见房室传导阻滞，于第12天拔出临时起搏电极。出院后随访3个月无异常。

　　讨论　射频导管消融所致的迟发性AVB已日渐引起重视。目前迟发性AVB的发生机理尚不十分明确，可能与射频电能造成消融靶点周围水肿、炎性细胞浸润有关，该病理反应可能在术后才达高峰(延迟效应)。有人认为，术中出现一过性完全性AVB可能是迟发性AVB的信号，报道发生率为21%～60%［1，2］。本例在心动过速中放电，虽靶点电图不含H波，心动过速终止出现Ⅰ°AVB，提示希氏束或快径受到损伤，可能与心动过速终止使大头电极向希氏束偏移有关。术后3天发展为Ⅲ°AVB，可能系射频造成的病理损伤加重并向周围扩展所致。大剂量激素治疗后恢复正常，也支持炎性浸润水肿与迟发性AVB有关。我们认为，对希氏束旁旁路消融，只要出现P-R延长，既使术中无一过性完全性AVB，术后亦应密切注意心电监护。出现迟发性AVB后，应用大剂量激素，合用氨茶碱和654-2，并适当延长治疗时间，迟发性AVB可望恢复。对射频消融术中出现Ⅰ°AVB的病例，应在术后行心电监护，并适当延长住院时间，以防不测。

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参考文献

　　1　Fenelon G, d′Avila A, Malacky T, et al. Prognostic significance of transient complete atrioventricular block during rodiofrequency ablation of atrioventricular node reentrant tachycardia. Am J Cardiol, 1995,75:698-702.

　　2　Williamson BD, Man KC, Daoud E, et al. Radiofrequency catheter modification of atrioventricular conduction to control the ventricular rate during atrial fibrillation. N Engl J Med, 1994,331:910-917.